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四川梓冠-SOI芯片光電探測器陣列新品發(fā)布

更新時間:2023-08-03      點擊次數(shù):1429

四川梓冠新品發(fā)布-SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。該產(chǎn)品我司于2023年8月正式啟動,歡迎選購,具體性能指標參數(shù)見下文:

〖性能指標Specifications〗

參數(shù)指標

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗電流

Dark current

nA

35


50


3 dB模擬帶寬

3 dB bandwidth

GHz



28


光飽和功率

Optical saturation power

mW

10




響應度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光學混頻器損耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光學混頻器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道數(shù)

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纖接入損耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相關損耗

PDL

dB

≤0.3


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)


訂貨信息Ordering information〗

ZG

波長

Wavelength

通道數(shù)

Number of channels

類型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

1=PD

2=混頻器

2=Mixer

XX=other




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