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詳細(xì)介紹
| 品牌 | 梓冠 | 
|---|
一、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的定義
S0I芯片式偏振光開(kāi)關(guān)或偏振控制器,該產(chǎn)品基于硅基 P-I-N高速移相結(jié)構(gòu)和氮化鈦熱移相結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)偏振控制和開(kāi)關(guān)的片上集成,芯片尺寸小,集成度高,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
二、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的特點(diǎn)
多通道
高度集成度芯片化
高速響應(yīng)
三、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達(dá)
四、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的性能指標(biāo)
|     參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 
|     波長(zhǎng)范圍 | nm | 1530nm-1570nm  or  1270nm-1330nm | ||
|     熱調(diào)功耗 | mW | 100 | ||
|     電調(diào)功耗 | mW | 10 | ||
|     響應(yīng)速率 | Hz | >20kHz@熱調(diào)試模式,>10MHz@電調(diào)模式 | ||
|     偏振消光比 | dB | >30 dB@熱調(diào)試模式,>18dB@電調(diào)模式 | ||
|     通道數(shù) | 1,2或可定制 | |||
|     光纖接入損耗 | dB | <2@熱調(diào)模式,<3@電調(diào)模式 | ||
|     偏振相關(guān)損耗 | dB | ≤0.5 | ||
|     工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
|     工作濕度范圍 | % | +65 | ||
|     芯片尺寸 | mm | 偏振開(kāi)關(guān):3.14(L)X1.0(W)X0.5(H) 偏振控制器:3.1(L)X0.6(W)x0.5(H)  | ||
五、SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列的芯片尺寸

六、四川梓冠光電SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列訂貨信息
| 波長(zhǎng) | 類(lèi)型 | 通道數(shù) | 
| 13=1310nm 15=1550nm  | 1=偏振開(kāi)關(guān) PS 2=偏振控制器PC XX=other  | 1=1CH,4=4CH,8=8CH, 16=CH,48=48CH,XX=0ther  | 
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