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高速SOI芯片光電探測(cè)器陣列

簡要描述：高速SOI芯片光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

產(chǎn)品型號(hào)：ZG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-05-10
訪問量：1625

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SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列

SOI芯片式可調(diào)光濾波器陣列，該產(chǎn)品基于硅基熱調(diào)諧微環(huán)結(jié)構(gòu)，光濾波器的中心波長和隔離度可調(diào)，實(shí)現(xiàn)了多通道光濾波器的單片集成，通過特殊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了偏振無關(guān)特性，光電封裝，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)。

SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列特性

多通道
高集成度芯片化
偏振無關(guān)

SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列應(yīng)用領(lǐng)域

光纖傳感
光纖通信
光網(wǎng)絡(luò)增益調(diào)節(jié)與濾波

SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列規(guī)格參數(shù)

參數(shù)指標(biāo)	單位	最小值	典型值	最大值	備注
波長范圍	nm	1530—1570 nm 或 1270nm—1330 nm
可調(diào)波長分辨率	nm	0.1
可調(diào)隔離度分辨率	dB	0.1
通道數(shù)		8或可定制
光纖接入損耗	dB	≤1.4
偏振相關(guān)損耗	dB	≤0.4
調(diào)諧響應(yīng)時(shí)間	μs	≤200
單通道功耗	mW	≤40
工作溫度范圍	°C	-20		50
工作濕度范圍	%			+65
尾纖接頭類型		FC/APC, FC/UPC或可定制
輸入輸出光纖類型		SMF-28或可定制
芯片尺寸	mm	10(L)×5(W)×0.5(H)

尺寸圖

四川梓冠光電SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列訂貨信息

ZG	波長	通道數(shù)
ZG	13=1310nm 15=1550nm	1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other

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